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Trabalho de evento-anais periodico
The structural properties of the protective layer of microlamps under polarization (2017)
Cassimiro, Vinicius Roberto de Sylos; Fantini, Márcia Carvalho de Abreu ; Pereyra, Inés ; Páez Carreño, Marcelo Nelson ; Alayo Chávez, Marco Isaías ; Rehder, Gustavo Pamplona ; Cunha Junior, Rubens Martins; Trcera, Nicolas
Fonte: Proceedings Science BWSP. Nome do evento: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidades: IF, EP
Assuntos: CRISTALOGRAFIA FÍSICA, FILMES FINOS, ESPECTROSCOPIA DE RAIO X
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ABNT
CASSIMIRO, Vinicius Roberto de Sylos et al. The structural properties of the protective layer of microlamps under polarization. Proceedings Science BWSP. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://doi.org/10.17648/bwsp-2017-70051. Acesso em: 17 maio 2024. , 2017
APA
Cassimiro, V. R. de S., Fantini, M. C. de A., Pereyra, I., Páez Carreño, M. N., Alayo Chávez, M. I., Rehder, G. P., et al. (2017). The structural properties of the protective layer of microlamps under polarization. Proceedings Science BWSP. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. doi:10.17648/bwsp-2017-70051
NLM
Cassimiro VR de S, Fantini MC de A, Pereyra I, Páez Carreño MN, Alayo Chávez MI, Rehder GP, Cunha Junior RM, Trcera N. The structural properties of the protective layer of microlamps under polarization [Internet]. Proceedings Science BWSP. 2017 ; 1 4 .[citado 2024 maio 17 ] Available from: https://doi.org/10.17648/bwsp-2017-70051
Vancouver
Cassimiro VR de S, Fantini MC de A, Pereyra I, Páez Carreño MN, Alayo Chávez MI, Rehder GP, Cunha Junior RM, Trcera N. The structural properties of the protective layer of microlamps under polarization [Internet]. Proceedings Science BWSP. 2017 ; 1 4 .[citado 2024 maio 17 ] Available from: https://doi.org/10.17648/bwsp-2017-70051
Trabalho de evento-anais periodico
Optical nonlinearities and thermal lens effect of a-Si:H films investigated by Z-scan technique (2012)
Espinosa, Daniel Humberto Garcia ; Onmori, Roberto Koji
Fonte: Physics Procedia: Book Series. Nome do evento: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidades: IF, EP
Assuntos: ÓPTICA NÃO LINEAR, LENTES (PROPRIEDADES TÉRMICAS)
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ABNT
ESPINOSA, Daniel Humberto Garcia e ONMORI, Roberto Koji. Optical nonlinearities and thermal lens effect of a-Si:H films investigated by Z-scan technique. Physics Procedia: Book Series. Amsterdam: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.phpro.2012.03.666. Acesso em: 17 maio 2024. , 2012
APA
Espinosa, D. H. G., & Onmori, R. K. (2012). Optical nonlinearities and thermal lens effect of a-Si:H films investigated by Z-scan technique. Physics Procedia: Book Series. Amsterdam: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. doi:10.1016/j.phpro.2012.03.666
NLM
Espinosa DHG, Onmori RK. Optical nonlinearities and thermal lens effect of a-Si:H films investigated by Z-scan technique [Internet]. Physics Procedia: Book Series. 2012 ;28 33-38.[citado 2024 maio 17 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.phpro.2012.03.666
Vancouver
Espinosa DHG, Onmori RK. Optical nonlinearities and thermal lens effect of a-Si:H films investigated by Z-scan technique [Internet]. Physics Procedia: Book Series. 2012 ;28 33-38.[citado 2024 maio 17 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.phpro.2012.03.666
Trabalho de evento-anais periodico
Indirect optical transitions from carriers trapped on the delta doping and on the parabolic quantum well (2012)
Tabata, A; Oliveira, J B B; Pintão, C A F; Silva, Euzi Conceição Fernandes da; Lamas, Tomas Eriksson; Duarte, C A; Gusev, Guennadii Michailovich
Fonte: Physics Procedia: Book Series. Nome do evento: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Assuntos: POÇOS QUÂNTICOS, SEMICONDUTORES, FOTOLUMINESCÊNCIA
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ABNT
TABATA, A et al. Indirect optical transitions from carriers trapped on the delta doping and on the parabolic quantum well. Physics Procedia: Book Series. Amsterdam: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S1875389212011546#. Acesso em: 17 maio 2024. , 2012
APA
Tabata, A., Oliveira, J. B. B., Pintão, C. A. F., Silva, E. C. F. da, Lamas, T. E., Duarte, C. A., & Gusev, G. M. (2012). Indirect optical transitions from carriers trapped on the delta doping and on the parabolic quantum well. Physics Procedia: Book Series. Amsterdam: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S1875389212011546#
NLM
Tabata A, Oliveira JBB, Pintão CAF, Silva ECF da, Lamas TE, Duarte CA, Gusev GM. Indirect optical transitions from carriers trapped on the delta doping and on the parabolic quantum well [Internet]. Physics Procedia: Book Series. 2012 ;28 53-56.[citado 2024 maio 17 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S1875389212011546#
Vancouver
Tabata A, Oliveira JBB, Pintão CAF, Silva ECF da, Lamas TE, Duarte CA, Gusev GM. Indirect optical transitions from carriers trapped on the delta doping and on the parabolic quantum well [Internet]. Physics Procedia: Book Series. 2012 ;28 53-56.[citado 2024 maio 17 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S1875389212011546#
Trabalho de evento-anais periodico
Theoretical study of Si(001)/Te-(1X1), (2X1) and (3X1) surfaces (1999)
Miwa, R. H.; Ferraz, A. C.
Fonte: Brazilian Journal of Physics. Nome do evento: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
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ABNT
MIWA, R. H. e FERRAZ, A. C. Theoretical study of Si(001)/Te-(1X1), (2X1) and (3X1) surfaces. Brazilian Journal of Physics. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: http://www.scielo.br/cgi-bin/fbpe/fball?got=all&pid=0103-9733&usr=fbpe&lng=pt&nrm=iso&sss=1&aut=71981947. Acesso em: 17 maio 2024. , 1999
APA
Miwa, R. H., & Ferraz, A. C. (1999). Theoretical study of Si(001)/Te-(1X1), (2X1) and (3X1) surfaces. Brazilian Journal of Physics. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://www.scielo.br/cgi-bin/fbpe/fball?got=all&pid=0103-9733&usr=fbpe&lng=pt&nrm=iso&sss=1&aut=71981947
NLM
Miwa RH, Ferraz AC. Theoretical study of Si(001)/Te-(1X1), (2X1) and (3X1) surfaces [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 1999 ; 29( 4): 814-816.[citado 2024 maio 17 ] Available from: http://www.scielo.br/cgi-bin/fbpe/fball?got=all&pid=0103-9733&usr=fbpe&lng=pt&nrm=iso&sss=1&aut=71981947
Vancouver
Miwa RH, Ferraz AC. Theoretical study of Si(001)/Te-(1X1), (2X1) and (3X1) surfaces [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 1999 ; 29( 4): 814-816.[citado 2024 maio 17 ] Available from: http://www.scielo.br/cgi-bin/fbpe/fball?got=all&pid=0103-9733&usr=fbpe&lng=pt&nrm=iso&sss=1&aut=71981947
Trabalho de evento-anais periodico
p-type Si-doped structures grown by molecular beam epitaxy on (311)A GaAs substrates (1998)
Quivy, A. A.; Frizzarini, M; Silva, E C F; Sperandio, A L; Leite, J. R.
Fonte: Brazilian Journal of Physics. Nome do evento: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
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ABNT
QUIVY, A. A. et al. p-type Si-doped structures grown by molecular beam epitaxy on (311)A GaAs substrates. Brazilian Journal of Physics. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física. . Acesso em: 17 maio 2024. , 1998
APA
Quivy, A. A., Frizzarini, M., Silva, E. C. F., Sperandio, A. L., & Leite, J. R. (1998). p-type Si-doped structures grown by molecular beam epitaxy on (311)A GaAs substrates. Brazilian Journal of Physics. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Quivy AA, Frizzarini M, Silva ECF, Sperandio AL, Leite JR. p-type Si-doped structures grown by molecular beam epitaxy on (311)A GaAs substrates. Brazilian Journal of Physics. 1998 ; 27A( 4): 125-129.[citado 2024 maio 17 ]
Vancouver
Quivy AA, Frizzarini M, Silva ECF, Sperandio AL, Leite JR. p-type Si-doped structures grown by molecular beam epitaxy on (311)A GaAs substrates. Brazilian Journal of Physics. 1998 ; 27A( 4): 125-129.[citado 2024 maio 17 ]
Trabalho de evento-anais periodico
Electronic and structural properties of complex defects in GaAs (1998)
Janotti, A.; Fazzio, A; Piquini, P; Mota, R.
Fonte: Brazilian Journal of Physics. Nome do evento: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
JANOTTI, A. et al. Electronic and structural properties of complex defects in GaAs. Brazilian Journal of Physics. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física. . Acesso em: 17 maio 2024. , 1998
APA
Janotti, A., Fazzio, A., Piquini, P., & Mota, R. (1998). Electronic and structural properties of complex defects in GaAs. Brazilian Journal of Physics. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Janotti A, Fazzio A, Piquini P, Mota R. Electronic and structural properties of complex defects in GaAs. Brazilian Journal of Physics. 1998 ; 27A( 4): 110-115.[citado 2024 maio 17 ]
Vancouver
Janotti A, Fazzio A, Piquini P, Mota R. Electronic and structural properties of complex defects in GaAs. Brazilian Journal of Physics. 1998 ; 27A( 4): 110-115.[citado 2024 maio 17 ]
Trabalho de evento-anais periodico
Growth of selg-organized InGaAs islands by molecular beam epitaxy (1998)
Quivy, A. A.; Cotta, M A; Leite, J. R.
Fonte: Brazilian Journal of Physics. Nome do evento: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
QUIVY, A. A. e COTTA, M A e LEITE, J. R. Growth of selg-organized InGaAs islands by molecular beam epitaxy. Brazilian Journal of Physics. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física. . Acesso em: 17 maio 2024. , 1998
APA
Quivy, A. A., Cotta, M. A., & Leite, J. R. (1998). Growth of selg-organized InGaAs islands by molecular beam epitaxy. Brazilian Journal of Physics. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Quivy AA, Cotta MA, Leite JR. Growth of selg-organized InGaAs islands by molecular beam epitaxy. Brazilian Journal of Physics. 1998 ; 27( 4): 154-457.[citado 2024 maio 17 ]
Vancouver
Quivy AA, Cotta MA, Leite JR. Growth of selg-organized InGaAs islands by molecular beam epitaxy. Brazilian Journal of Physics. 1998 ; 27( 4): 154-457.[citado 2024 maio 17 ]
Trabalho de evento-anais periodico
Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP-8 (1997)
Fazzio, Adalberto; Ferraz, A. C.
Fonte: Brazilian Journal of Physics. Nome do evento: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FAZZIO, Adalberto e FERRAZ, A. C. Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP-8. Brazilian Journal of Physics. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física. . Acesso em: 17 maio 2024. , 1997
APA
Fazzio, A., & Ferraz, A. C. (1997). Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP-8. Brazilian Journal of Physics. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Fazzio A, Ferraz AC. Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP-8. Brazilian Journal of Physics. 1997 ; 27A( 4): 344.[citado 2024 maio 17 ]
Vancouver
Fazzio A, Ferraz AC. Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP-8. Brazilian Journal of Physics. 1997 ; 27A( 4): 344.[citado 2024 maio 17 ]

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